机译:180nm金属栅极,高k介电,无注入III驴V MOSFET,跨导超过425 / spl mu / S // spl mu / m
机译:通过对高K栅极电介质进行原子层蚀刻来改善金属栅极/高K电介质CMOSFET的特性
机译:MX_2单层10 nm沟道双栅极n-MOSFET中具有高K电介质的跨导(g_m)和I_(on)/ I_(off)的变化
机译:亚微米,金属栅极,高κ介电,无植入,增强型III-V MOSFET
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:具有高k La2O3 / ZrO2栅极电介质的肖特基势垒SOI-MOSFET
机译:亚微米,金属栅极,高ε电介质,无植入,增强型III-V mOsFET